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    新興研究領域 (MBE等)
    應用
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    分子束外延

    分子束外延(MBE)是新發展起來的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術,它是在適當的襯底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。這種技術可用于半導體激光器,發光二極管,通訊器件等半導體器件的制備。但是MBE技術對材料提出了相當高的要求,我們可為MBE設備提供多種規格的高純金屬材料和PNB坩堝制品。

    半導體摻雜

    本征半導體中載流子數目極少,導電能力仍然很低。但如果在其中摻入微量的雜質,所形成的雜質半導體的導電性能將大大增強。我們可以提 供高純度的半導體金屬單質及電子氣體材料。

    相關產品
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    HP-Ga / HP-As / HP-Se / HP-Te / HP-Bi / HP-Cd / HP-In / HP-Ge / HP-B / HP-P / HP-Sb / HP-Zn / PBN坩堝 / BCl3 / B2O3 / GeH4 / AsH3 / PH3, etc.


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